n 产品规格参数
NSC1601T-SI | ||
材料 | InGaAs | |
分辨率 | 640×512像素 | |
光谱响应 | 0.9-1.7nm | |
双重响应 | 线性 | |
对数 | ||
模式 | IWR/ITR，CDS，ROI | |
量子效率 | 70% | |
满阱容量 | 线性 | 高增益：70Ke- |
低增益：400Ke- | ||
对数 | 接近无限 | |
动态范围 | 典型值为120dm | |
帧速率 | 全幅高达230帧/秒 | |
积分时间 | 10μs到220ms | |
运行模式 | TEC on/off | |
触发模式 | IN/OUT(LVTTL) | |
尺寸 | 46mmx46mmx57mm | |
重量 | ＜215克 | |
镜头接口 | 自带C-Mount | |
耗电量 | 关机＜2.6W | |
开机＜4.85W | ||
工作温度 | 0℃-65℃ | |
操作界面 | WiDyVISION | |
※ 线性和对数两种模式，具有高灵敏度、高动态范围（120dm）的特点
※ 坏点替换和智能非均匀校正
※ USB3.0接口
InGaAs 阵列探测器原理
InGaAs是一种III-V复合半导体材料，在NIR/SWIR波段提供了优秀的光电转换灵敏度，通过改变InGaAs的掺杂浓度改变其对不同波段的光谱响应灵敏度，从而使光谱响应特性变化，因此可根据客户实验的具体需求定做最佳的光谱响应效率曲线。如图1。
InGaAs 阵列探测器由二维光电材料组成，包括磷化铟(InP)基底、InGaAs吸收层(感光层)和超薄InP电极，电极是将铟凸点焊接到前置放大和读出电路（ROIC）上。 如图2。
图2 PI NIRvana：640 *相机的二维640 x 512阵列与低噪声读出电路(ROIC)
在InGaAs阵列探测器中，二维阵列感光层检测入射光，然后产生并收集光电子；ROIC模块收集电子计数并转换为电压，并将得到的电压信号传输到芯片外的电子设备。 InGaAs阵列探测器采用背照式设计来提高量子效率（QE），如图3。
图1 InGaAs在近红外波段光谱响应效率曲线图 图3 量子效率图
更多论文京ICP备2017928号 Processed in 0.112 second(s), 9 queries 法律声明
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