WiDy SenS系列红外相机

※ 线性和对数两种模式，具有高灵敏度、高动态范围（120dm）的特点

※ 坏点替换和智能非均匀校正

※ USB3.0接口

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※ 激光光束质量分析

※ 显微镜和高光谱的测量

※ 工业、半导体、食品等在生产过程中的质控

※ 安防工作

※ 无人机的机载相机

InGaAs 阵列探测器原理

InGaAs是一种III-V复合半导体材料，在NIR/SWIR波段提供了优秀的光电转换灵敏度，通过改变InGaAs的掺杂浓度改变其对不同波段的光谱响应灵敏度，从而使光谱响应特性变化，因此可根据客户实验的具体需求定做最佳的光谱响应效率曲线。如图1。

InGaAs 阵列探测器由二维光电材料组成，包括磷化铟(InP)基底、InGaAs吸收层(感光层)和超薄InP电极，电极是将铟凸点焊接到前置放大和读出电路（ROIC）上。 如图2。

图2  PI NIRvana：640 *相机的二维640 x 512阵列与低噪声读出电路(ROIC)

在InGaAs阵列探测器中，二维阵列感光层检测入射光，然后产生并收集光电子；ROIC模块收集电子计数并转换为电压，并将得到的电压信号传输到芯片外的电子设备。 InGaAs阵列探测器采用背照式设计来提高量子效率（QE），如图3。

图1  InGaAs在近红外波段光谱响应效率曲线图                                                              图3 量子效率图