n 产品规格参数
技术规格 | WiDy SWIR 320U | WiDy SWIR 640U |
传感器 | NSC0803-SI | NSC1101-SI |
分辨率 | 320×256 | 640×512 |
材料 | InGaAs | |
像元尺寸 | 25×25μm | 15×15μm |
量子效率 | 70% | 55% |
帧数 | 高达150fps | 高达60fps |
动态范围 | >140dB | |
A/D转换器 | 14bit | |
规格尺寸 | 46×46×31mm |
※ 超宽动态范围 – no knee points to setup or multiple exposures
– 140 dB in a single shot
※ 900-1700nm的高量子效率
※ InGaAs材料,在900nm to 1700nm具有高量子效率
※ 在windows 系统下能进行稳定工作(GUI)
※ USB2.0接口进行电源供应和数据传输
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WiDy SWIR 320U Widy SWIR 320A Flyer V1.1.pdf
WiDy SWIR 640U Widy SWIR 640U Flyer V1.3.pdf
InGaAs 阵列探测器原理
InGaAs是一种III-V复合半导体材料,在NIR/SWIR波段提供了优秀的光电转换灵敏度,通过改变InGaAs的掺杂浓度改变其对不同波段的光谱响应灵敏度,从而使光谱响应特性变化,因此可根据客户实验的具体需求定做最佳的光谱响应效率曲线。如图1。
InGaAs 阵列探测器由二维光电材料组成,包括磷化铟(InP)基底、InGaAs吸收层(感光层)和超薄InP电极,电极是将铟凸点焊接到前置放大和读出电路(ROIC)上。 如图2。
图2 PI NIRvana:640 *相机的二维640 x 512阵列与低噪声读出电路(ROIC)
在InGaAs阵列探测器中,二维阵列感光层检测入射光,然后产生并收集光电子;ROIC模块收集电子计数并转换为电压,并将得到的电压信号传输到芯片外的电子设备。 InGaAs阵列探测器采用背照式设计来提高量子效率(QE),如图3。
图1 InGaAs在近红外波段光谱响应效率曲线图 图3 量子效率图
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