WiDy SWIR系列近红外相机

※ 超宽动态范围 – no knee points to setup or multiple exposures

– 140 dB in a single shot

※ 900-1700nm的高量子效率

※ InGaAs材料，在900nm to 1700nm具有高量子效率

※ 在windows 系统下能进行稳定工作（GUI）

※ USB2.0接口进行电源供应和数据传输

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                WiDy SWIR 320U         Widy SWIR 320A Flyer V1.1.pdf

                WiDy SWIR 640U         Widy SWIR 640U Flyer V1.3.pdf

※ 工业近红外光谱成像

※ 户外安全监测

※ 沿海检测

※ 航空应用

※ 安防市场应用

※ 激光成像

※ 仪器测量

※ 半导体检测

※ 光谱测量

※ 环境污染监测

※ 医学成像

InGaAs 阵列探测器原理

InGaAs是一种III-V复合半导体材料，在NIR/SWIR波段提供了优秀的光电转换灵敏度，通过改变InGaAs的掺杂浓度改变其对不同波段的光谱响应灵敏度，从而使光谱响应特性变化，因此可根据客户实验的具体需求定做最佳的光谱响应效率曲线。如图1。

InGaAs 阵列探测器由二维光电材料组成，包括磷化铟(InP)基底、InGaAs吸收层(感光层)和超薄InP电极，电极是将铟凸点焊接到前置放大和读出电路（ROIC）上。 如图2。

图2  PI NIRvana：640 *相机的二维640 x 512阵列与低噪声读出电路(ROIC)

在InGaAs阵列探测器中，二维阵列感光层检测入射光，然后产生并收集光电子；ROIC模块收集电子计数并转换为电压，并将得到的电压信号传输到芯片外的电子设备。 InGaAs阵列探测器采用背照式设计来提高量子效率（QE），如图3。

图1  InGaAs在近红外波段光谱响应效率曲线图                                                                        图3 量子效率图